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[发明专利]一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202111152281.9在审
发明人：张璐;张无迪;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基‑砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，包括：一、制备硅太阳电池；二、制备砷化镓太阳电池；三、在硅太阳电池与砷化镓太阳电池上蒸镀半透明金属电极；四、利用金属键合技术将硅太阳电池与砷化镓太阳电池键合；五、采用化学腐蚀的方法将砷化镓太阳电池中的牺牲层腐蚀，砷化镓衬底被剥离得到硅基‑砷化镓叠层太阳电池；六、利用PVD的方法分别在上层砷化镓太阳电池的表面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上电极，在硅太阳电池的背面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的下电极；七、利用PVD的方法在硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上表面制备电池减反射膜；八、切割，得到所需尺寸的硅基‑砷化镓叠层太阳电池。
一种砷化镓太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构-CN201821358223.5有效
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。与现有技术相比，在保证硅基砷化镓太阳能电池与砷化镓基或者锗基砷化镓太阳能电池具有相当光电转换效率的前提下，本实用新型可以显著降低生产砷化镓太阳能电池的成本。
砷化镓太阳能电池硅基本实用新型外延结构硅衬底光电转换效率低温缓冲层高温缓冲层光吸收层降低生产砷化镓基窗口层反射层接触层锗基保证

[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法-CN201210491141.9在审
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
一种绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池-CN201510619638.8有效
发明人：程学瑞;张焕君;冯世全;康利平;李俊玉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种键合连接的硅基与砷化镓（GaAs）基的太阳电池。该太阳电池包括上层砷化镓基电池和下层硅基电池，上、下层电池间硅与砷化镓通过键合连接的方法形成隧穿结互联起来，形成叠层太阳电池；所述上层砷化镓基电池为AlGaAs（铝镓砷）单结电池或GaInP/AlGaAs双结电池；所述下层硅基太阳电池为Si单结电池。本发明通过采用直接键合技术，较好解决了硅基太阳电池与砷化镓基太阳电池之间晶格匹配问题，解决了不同晶格常数材料直接生长的难题，使砷化镓太阳电池外延层可以有效转移到硅太阳电池上。基于此结构的硅基多结太阳电池理论效率可达到30%以上，具有较好的推广应用价值。
一种连接砷化镓基太阳电池

[发明专利]一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法-CN201310068781.3有效
发明人：周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基
一种 iii nmos 器件制作方法

[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用-CN201810324711.2有效
发明人：张建军;王霆;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长
一种硅基砷化镓材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法-CN201310068749.5有效
发明人：周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层，完成硅基半绝缘III-V族材料的制备。本发明采用锗层从硅过渡到III-V层，然后通过低温的砷化镓层获得高的晶格质量；本发明还采用掺铁InGaP层，获得高阻的III-V族层。
一种硅基半绝缘 iii 材料制备方法

[发明专利]高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法-CN201310176608.5有效
发明人：周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。
质量表面粗糙硅基砷化镓材料制备方法

[发明专利]基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法-CN202011286959.8在审
发明人：陈思铭;唐明初;廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。
基于纳米空洞穿透密度硅基砷化镓层生长方法

[发明专利]一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法-CN201410077528.9有效
发明人：周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：生长半绝缘砷化镓层；步骤4：生长砷化镓盖层；步骤5：抛光、清洗、封装，完成衬底的制备。本发明提出的上述方法中采用超高真空化学气相沉积从硅衬底过渡到锗层，通过底层锗的弛豫来消除4％的应变，由于砷化镓与锗的晶格失配只有800ppm，利用超高真空化学气相外延从硅衬底到锗层，避免了失配位错的产生，采用高低温砷化镓层的配合来解决反向畴的问题。
一种硅基半绝缘砷化镓衬底制备方法

[发明专利]硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法-CN202211627136.6在审
发明人：田宇;陈龙 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种硅基砷化镓外延结构的制备方法、硅基砷化镓外延结构、激光器的制备方法以及激光器，其中，方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上外延生长成核层，成核层的材料包括第一半导体材料；在成核层上外延生长第一过渡层，第一过渡层的材料包括第二半导体材料；第一半导体材料和第二半导体材料均为磷化镓基半导体材料，第一半导体材料的晶格常数介于硅和第二半导体材料之间，第二半导体材料的晶格常数介于第一半导体材料和砷化镓之间；在第一过渡层上外延生长第二过渡层，第二过渡层的材料包括第三半导体材料；在第二过渡层上外延生长砷化镓层；第三半导体材料的带隙介于第二半导体材料和砷化镓之间。
硅基砷化镓外延结构激光器制备方法

[发明专利]一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路-CN202110996272.1在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在砷化镓外延结构上；基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。
一种集成式硅基芯片及其制作方法集成电路

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762696.7有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;杜勇;徐步青;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上外延形成锗膜，在锗膜上外延生长砷化镓膜，这样将锗膜作为硅衬底和砷化镓膜层之间的缓冲层，改善硅衬底和砷化镓膜层之间的晶格失配，减少砷化镓膜层中的反向畴，减少砷化镓膜层中的缺陷，提高基于砷化镓膜层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法-CN202111473559.2在审
发明人：张鹏;耿雪其;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法，包括：第一硅基底：第一硅基底的上表面设有第一金属层；第二硅基底：第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片，其第二硅基底的下表面设有第二金属层，砷化镓射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中；介质层：介质层覆盖在第二硅基底的上表面；特征通孔：特征通孔图形化设置在介质层中；布线层：布线层设置在介质层的上表面，砷化镓射频芯片背金接地面通过导电粘结层和金属键合层实现芯片背金接地面与外部
一种基于砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法

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